2SCR586D3TL1

功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

制造商:rohm semiconductor

系列:-

零件状态:在售

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 100mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V

功率 - 最大值:10W

频率 - 跃迁:200MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装:TO-252

标准包装:1

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